ਫਾਟਕ:ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਸਟੈਟਿਕਸ/ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫਲੱਕਸ

ਵਿਕੀਪੀਡੀਆ ਵਿੱਦਿਆ ਪ੍ਰੋਗਰਾਮ Main Page ਮੁੱਖ ਸਫ਼ਾ

ਮੈਂਬਰ Members ਮੈਂਬਰ

ਵਿਸ਼ੇ Subjects ਵਿਸ਼ੇ

ਨੋਟਿਸਬੋਰਡ Noticeboard ਨੋਟਿਸਬੋਰਡ

ਚਰਚਾ Discussion ਚਰਚਾ

  ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਸਟੈਟਿਕਸ  

  ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ  

          Menu         Page 8 of 8

ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫਲੱਕਸ

ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੇਟਿਜ਼ਮ ਅੰਦਰ, ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫਲੱਕਸ ਕਿਸੇ ਦਿੱਤੇ ਹੋਏ ਖੇਤਰਫਲ (ਏਰੀਆ) ਰਾਹੀਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਦੇ ਪ੍ਰਵਾਹ (ਫਲੋਅ) ਦਾ ਨਾਪ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਸੰਖੇਪ ਸਾਰਾਂਸ਼ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫਲੱਕਸ ਕਿਸੇ ਨੌਰਮਲੀ (ਸਮਕੋਣਿਕ) ਪਰਪੈਂਡੀਕਿਊਲਰ ਸਤਹਿ ਰਾਹੀਂ ਗੁਜ਼ਰ ਰਹੀਆਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਲਾਈਨਾਂ ਦੀ ਗਿਣਤੀ ਦੇ ਅਨੁਪਾਤ ਵਿੱਚ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਜੇਕਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਇਕੱਸਾਰ (ਯੂਨੀਫੌਮ) ਹੋਵੇ, ਤਾਂ ਵੈਕਟਰ ਏਰੀਆ S ਦੀ ਇੱਕ ਸਤਹਿ (ਸਰਫੇਸ) ਰਾਹੀਂ ਗੁਜ਼ਰਨ ਵਾਲਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫਲੱਕਸ ਇੰਝ ਹੁੰਦਾ ਹੇ, $\Phi _{E}=\mathbf {E} \cdot \mathbf {S} =ES\cos \theta ,$ ਜਿੱਥੇ E ਇਲੈਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਹੁੰਦੀ ਹੈ (ਜਿਸਦੀਆਂ ਯੂਨਿਟਾਂ V/m ਹਨ), E ਇਸਦਾ ਸੰਖਿਅਕ ਮੁੱਲ (ਮੈਗਨੀਟਿਊਡ) ਹੁੰਦਾ ਹੈ, S ਸਰਫੇਸ ਦਾ ਏਰੀਆ ਹੇ, ਅਤੇ θ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਰੇਖਾਵਾਂ ਅਤੇ S ਪ੍ਰਤਿ ਨੌਰਮਲ (ਸਮਕੋਣ) ਦਰਮਿਆਨ ਕੋਣ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਕਿਸੇ ਗੈਰ-ਯੂਨੀਫੌਮ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਵਾਸਤੇ, ਕਿਸੇ ਛੋਟੇ ਸਰਫੇਸ ਏਰੀਏ dS ਰਾਹੀਂ ਗੁਜ਼ਰਨ ਵਾਲਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫਲੱਕਸ dΦE ਇੰਝ ਪ੍ਰਾਪਤ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, $d\Phi _{E}=\mathbf {E} \cdot d\mathbf {S}$ (ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ, E, ਨੂੰ ਫੀਲਡ ਦੇ ਸਮਕੋਣ ਖੇਤਰ ਦੇ ਕੰਪੋਨੈਂਟ ਨਾਲ ਗੁਣਨਫਲ)। ਕਿਸੇ ਸਰਫੇਸ S ਉੱਤੇ ਇਲੇਕਟ੍ਰਿਕ ਫਲੱਕਸ ਸਰਫੇਸ ਇੰਟਗ੍ਰਲ ਰਾਹੀਂ ਮਿਲਦਾ ਹੈ: $\Phi _{E}=\iint _{S}\mathbf {E} \cdot d\mathbf {S}$ ਜਿੱਥੇ E ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਹੈ ਅਤੇ dS ਬੰਦ ਸਤਹਿ S ਉੱਤੇ ਇੱਕ ਡਿੱਫ੍ਰੈਂਸ਼ੀਅਲ ਏਰੀਆ ਹੁੰਦਾ ਹੇ ਜੋ ਇਸਦੀ ਪਰਿਭਾਸ਼ਾ ਨੂੰ ਪਰਿਭਾਸ਼ਿਤ ਕਰਦਾ ਹੋਇਆ ਸਰਫੇਸ ਨੌਰਮਲ ਬਾਹਰ ਵੱਲ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਕਿਸੇ ਬੰਦ ਗਾਓਸ਼ੀਅਨ ਸਰਫੇਸ ਵਾਸਤੇ, ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫਲੱਕਸ ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ ਹੁੰਦਾ ਹੇ: $\Phi _{E}=\,\!$ $\scriptstyle S$ $\mathbf {E} \cdot d\mathbf {S} ={\frac {Q}{\varepsilon _{0}}}\,\!$ ਜਿੱਥੇ E ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਹੈ S ਕੋਈ ਵੀ ਬੰਦ ਸਤਹਿ ਹੈ Q ਸਰਫੇਸ S ਅੰਦਰਲਾ ਕੁੱਲ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਚਾਰਜ ਹੈ ε0 ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਕੌਂਸਟੈਂਟ (ਇੱਕ ਬ੍ਰਹਿਮੰਡ ਸਥਿਰਾਂਕ, ਜਿਸਨੂੰ ਫਰੀ ਸਪੇਸ ਦੀ ਪਰਮਿੱਟੀਵਿਟੀ ਵੀ ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।) (ε0 ≈ 8.854 187 817... x 10−12 farads per meter (F·m−1)) ਹੈ। ਇਸ ਸਬੰਧ ਨੂੰ ਆਪਣੀ ਇੰਟਗ੍ਰਲ ਕਿਸਮ ਅੰਦਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਵਾਸਤੇ ਗਾਓਸ ਲਾਅ ਦੇ ਤੌਰ ਤੇ ਵੀ ਜਾਣਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਇਹ ਚਾਰ ਮੈਕਸਵੈੱਲ ਦੀਆਂ ਇਕੁਏਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚੋੰ ਇੱਕ ਇਕੁਏਸ਼ਨ ਹੈ। ਜਦੋਂਕਿ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫਲੱਕਸ ਅਜਿਹੇ ਚਾਰਜਾਂ ਤੋਂ ਪ੍ਰਭਾਵਿਤ ਨਹੀਂ ਹੁੰਦਾ ਜੋ ਬੰਦ ਸਤਹਿ ਅੰਦਰਲੇ ਚਾਰਜ ਨਹੀਂ ਹੁੰਦੇ, ਫੇਰ ਵੀ ਸ਼ੁੱਧ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ E, ਗਾਓਸ ਦੇ ਨਿਯਮ ਦੀ ਸਮੀਕਰਨ ਵਿੱਚ, ਬੰਦ ਸਤਹਿ ਤੋਂ ਬਾਹਰ ਰੱਖੇ ਚਾਰਜਾਂ ਰਾਹੀਂ ਪ੍ਰਭਾਵਿਤ ਹੋ ਸਕਦੀ ਹੈ। ਜਦੋਂਕਿ ਗਾਓਸ ਦਾ ਨਿਯਮ ਸਾਰੀਆਂ ਪ੍ਰਸਥਿਤੀਆਂ ਵਾਸਤੇ ਲਾਗੂ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਉੱਥੇ ਇਹ ਸਿਰਫ ਅਸਾਨ ਕੈਲਕੁਲੇਸ਼ਨਾਂ ਵਾਸਤੇ ਹੀ ਫਾਇਦੇਮੰਦ ਰਹਿੰਦਾ ਹੈ ਜਦੋਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਅੰਦਰ ਸਮਰੂਪਤਾ ਦੀ ਉੱਚ ਡਿਗਰੀ ਮੌਜੂਦ ਹੋਵੇ। ਉਦਾਹਰਨ ਦੇ ਤੌਰ ਤੇ, ਸਫੈਰੀਕਲ ਅਤੇ ਸਲਿੰਡ੍ਰੀਕਲ ਸਮਿੱਟਰੀ। ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫਲੱਕਸ ਵੋਲਟ ਮੀਟਰਾਂ (V m) ਦੀਆਂ S I ਯੂਨਿਟਾਂ ਰੱਖਦਾ ਹੈ, ਜਾਂ ਇਸਦੇ ਸਮਾਨ ਹੀ, ਨਿਊਟਨ ਮੀਟਰਜ਼ ਸਕੁਏਅਰਡ ਪ੍ਰਤਿ ਕੂਲੌਂਬ (N m2 C−1)। ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੀਕ ਫਲੱਕਸ ਦੀਆਂ SI ਅਧਾਰਿਤ ਯੂਨਿਟਾਂ kg·m3·s−3·A−1 ਹਨ। ਇਸਦਾ ਡਾਇਮੈਂਸ਼ਨਲ ਫਾਰਮੂਲਾ [L3MT−3I−1] ਹੈ। ਇਹ ਵੀ ਦੇਖੋ ਮੈਗਨੈਟਿਕ ਫਲੱਕਸ ਮੈਕਸਵੈੱਲ ਦੀਆਂ ਇਕੁਏਸ਼ਨਾਂ ਬਾਹਰੀ ਲਿੰਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫਲੱਕਸ — ਹਾਈਪਰਫਿਜ਼ਿਕਸ

ਵਿਕੀਪੀਡੀਆ ਆਰਟੀਕਲ ਲਿੰਕ

• ਅੰਗਰੇਜ਼ੀ - Electrostatics
• ਪੰਜਾਬੀ - ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਸਟੈਟਿਕਸ

ਸ਼ਬਦਾਵਲੀ

ਅਗਲੇ ਸਫ਼ੇ ਤੇ ਜਾਣ ਵਾਸਤੇ ਹੇਠਲਾ ਫਾਰਵਰਡ ਤੀਰ ਦਬਾਓ